Unidad en estado sólido - interno - soporte TRIM,Auto Garbage Collection Algorithm,TurboWrite Technology,eDrive,Samsung MJX Controller,3-bit 3D V-NAND Technology. - Capacidad: 500 GB - Cifrado por hardware: Sí - Algoritmo de cifrado: AES de 256 bits - Tipo de memoria flash NAND: Celda multinivel 3D (MLC) - Factor de forma: 2.5" - Interfaz: SATA 6Gb/s - Velocidad de transferencia de datos: 600 MBps - Tamaño de búfer: 512 MB - Características: Soporte TRIM,Auto Garbage Collection Algorithm,TurboWrite Technology,eDrive,Samsung MJX Controller,3-bit 3D V-NAND Technology,S.M.A.R.T.,AES de 256 bits,IEEE 1667 - Dimensiones (Ancho x Profundidad x Altura): 69.85 mm x 100 mm x 6.8 mm Peso: 62 g